特許
J-GLOBAL ID：200903095119128931

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者：
平田 博信

平田 博信 について

, 
三谷 慎一

三谷 慎一 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-075956
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231587
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】半導体製造装置および方法において、成膜速度、ソースガス利用効率を向上させ、高い生産性の提供。【解決手段】ウェーハwが導入され成膜処理される反応室11と、該ウェーハwを保持するホルダー13を上部に備え、ウェーハwを加熱するヒータ15a,15bが内部に設置され回転駆動機構17を有する回転体12と、反応室11上方よりプロセスガスを供給するガス供給機構18と、反応室11よりガスを排出し、所定の圧力に制御するガス排出機構19と、該プロセスガスを整流してホルダー13に保持されたウェーハw上に供給する整流板20と、整流板20下部に設置され、上端の内径より下端の内径が大きく、ウェーハw上から外周方向に排出されるガスを下方に整流する環状の整流フィン22と、整流板20とウェーハwとの垂直距離、整流フィン22と回転体12上面との垂直距離が、それぞれ所定の距離となるように制御する距離制御機構23を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェーハが導入され、成膜処理される反応室と、 導入された前記ウェーハを保持するホルダーを上部に備え、前記ウェーハを加熱するヒータが内部に設置される回転体と、 前記回転体に接続され、前記ウェーハを回転させる回転駆動機構と、 前記反応室上方より前記反応室に所定流量のプロセスガスを供給するガス供給機構と、 前記反応室よりガスを排出し、前記反応室内を所定の圧力に制御するガス排出機構と、 供給された前記プロセスガスを整流して前記ホルダーに保持された前記ウェーハ上に供給する整流板と、 前記整流板下部に設置され、上端の内径より下端の内径が大きく、前記ウェーハ上から外周方向に排出されるガスを下方に整流する環状の整流フィンと、 前記整流板と前記ウェーハとの垂直距離、および前記整流フィンと前記回転体上面との垂直距離が、それぞれ所定の距離となるように制御する距離制御機構を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (23件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030LA15 ,  5F045AA01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EF05 ,  5F045EF14 ,  5F045EK02 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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