磁界検出素子の製造方法、磁界検出素子、積層体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-173801
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004811
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】CPP-GMRヘッド用の磁界検出素子において、規則化温度を低減する。【解決手段】磁界検出素子の製造方法は、スペーサ層8と隣接するスペーサ隣接層91と、ホイスラー合金層92と、金属層94とを、この順で順次隣接するように形成するステップと、スペーサ隣接層91と、ホイスラー合金層92と、金属層94とを加熱して、ピンド層7の少なくとも一部またはフリー層9を形成するステップと、を有している。スペーサ隣接層91は、コバルトおよび鉄を主成分とする層である。ホイスラー合金層92は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる金属成分を含んでいる。金属層94は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる層である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層と外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層とが導電性かつ非磁性のスペーサ層を挟んで積層され、センス電流が膜面直交方向に流れるようにされた磁界検出素子の製造方法であって、前記スペーサ層と隣接するスペーサ隣接層と、ホイスラー合金層と、金属層とを、この順で順次隣接するように形成するステップと、前記スペーサ隣接層と、前記ホイスラー合金層と、前記金属層とを加熱して、前記ピンド層の少なくとも一部または前記フリー層を形成するステップと、を有し、前記スペーサ隣接層は、コバルトおよび鉄を主成分とする層であり、前記ホイスラー合金層は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる金属成分を含み、前記金属層は、銀、金、銅、パラジウム、または白金のいずれか、またはこれらの合金からなる層である、磁界検出素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 43/12 , H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , G01R 33/09

FI (7件)：

H01L43/12 , H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , G01R33/06 R

Fターム (36件)：

2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5F092AA11 , 5F092AB03 , 5F092AC08 , 5F092AD03 , 5F092BB03 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB42 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BB66 , 5F092BB81 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC19 , 5F092BC22 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (11件)

磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015001 出願人：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果素子、及びこれを備える磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-196662 出願人：株式会社日立製作所
ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-307797 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

審査官引用 (10件)

磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-015001 出願人：アルプス電気株式会社
ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-307797 出願人：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-068741 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る