特許
J-GLOBAL ID：200903023935138715

磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置

発明者：
平田 京

平田 京 について

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土屋 芳弘

土屋 芳弘 について

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水野 友人

水野 友人 について

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島沢 幸司

島沢 幸司 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144927
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317824
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】MR素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるMR素子におけるMR比を大きくする。【解決手段】MR素子5は、非磁性導電層24と、非磁性導電層24を挟むように配置された固定層23およびフリー層25を備えている。固定層23とフリー層25は、それぞれホイスラー合金層33H,25Hを含んでいる。ホイスラー合金層33H,25Hは、単位格子の体心位置に磁性金属元素の原子が配置されたホイスラー合金と、ホイスラー合金を構成しない非磁性金属元素である添加元素とを含んでいる。固定層23とフリー層25の少なくとも一方は、非磁性導電層24に隣接する領域であって、非磁性導電層24に近づくに従って添加元素の濃度が大きくなる領域を含んでいる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに反対側を向く第1および第2の面を有する非磁性導電層と、 前記非磁性導電層の前記第1の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定された固定層と、 前記非磁性導電層の前記第2の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するフリー層とを備え、 磁気的信号検出用の電流が、前記各層の面と交差する方向に流される磁気抵抗効果素子であって、 前記固定層とフリー層の少なくとも一方はホイスラー合金層を含み、 前記ホイスラー合金層は、単位格子の体心位置に磁性金属元素の原子が配置されたホイスラー合金と、ホイスラー合金を構成しない非磁性金属元素である添加元素とを含み、 前記固定層とフリー層の少なくとも一方は、前記非磁性導電層に隣接する領域であって、前記非磁性導電層に近づくに従って前記添加元素の濃度が大きくなる領域を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  G11B 5/39
FI (5件)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39
Fターム (25件)：
5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034DA07 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AC08 ,  5F092AD03 ,  5F092BB03 ,  5F092BB10 ,  5F092BB15 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB31 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BE11 ,  5F092BE13 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA26
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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