特許
J-GLOBAL ID：201603004110027423
反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
永田 豊
, 大島 孝文
, 太田 司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-200628
公開番号（公開出願番号）：特開2016-072438
出願日： 2014年09月30日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：
【課題】膜全体として洗浄耐性や加工性に優れ、且つ、EUV光の位相をシフトさせる薄膜の位相シフト膜を有する反射型マスクブランクを提供する。【解決手段】反射型マスクブランクの位相シフト膜15は、一つ又は複数の第1の層15aと一つ又は複数の第2の層15bを含む多層膜からなる。第1の層15aは、波長13.5nmにおける屈折率nが0.95以下の金属材料から選択された金属材料(Ta又はCr等)を含む。第2の層15bは、波長13.5nmにおける屈折率nが0.95以下の金属材料のうち、第1の層15aとは異なる金属材料から選択された金属材料(Mo、Ru、Pt、Pd、Ag及びAu等)を含む。第1の層15aと第2の層15bとの界面およびその近傍には、第1の層15a一層と第2の層15b一層の合計膜厚に対して25%以上の割合で、金属拡散領域R1が形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、一つ又は複数の第1の層と一つ又は複数の第2の層を含む多層膜からなり、
前記第1の層は、波長13.5nmにおける屈折率nが0.95以下の金属材料から選択された金属材料を含み、
前記第2の層は、波長13.5nmにおける屈折率nが0.95以下の金属材料のうち、前記第1の層とは異なる金属材料から選択された金属材料を含み、
前記第1の層と前記第2の層との界面及びその近傍には、前記第1の層と前記第2の層の合計膜厚に対して25%以上の割合で、金属拡散領域が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/24
2H095BA10
, 2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BB17
, 2H095BB35
, 2H095BC24
, 2H195BA10
, 2H195BB03
, 2H195BB14
, 2H195BB17
, 2H195BB35
, 2H195BC24
, 2H195CA16
, 2H195CA20
, 2H195CA23
, 2H195CA24
, 5F146GA21
, 5F146GD16
, 5F146GD20
, 5F146GD23
, 5F146GD24
