半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鮫島睦 , 言上惠一 , 山尾憲人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-001768
公開番号（公開出願番号）：特開2014-132624
特許番号：特許第5954185号
出願日： 2013年01月09日
公開日（公表日）： 2014年07月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体積層構造体の上面の一部に、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜の外周端部をエッチングすることにより、前記絶縁膜の外周端部における傾斜角を大きくする工程と、前記半導体積層構造体の上面において、前記絶縁膜が形成されていない領域に電極を形成する工程と、支持基板を準備し、前記半導体積層構造体の電極形成面側と、前記支持基板と、を接合する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：