特許
J-GLOBAL ID：200903064827479148

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
大西 雅彦

大西 雅彦 について

, 
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-071899
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231356
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】電極からの電流リークや素子の破壊を引き起こすことがなく、また、素子特性の悪化を抑制できる半導体素子の提供。【解決手段】第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を有する半導体積層部と、第1導電型半導体層に接続される第1導電側電極と、第2導電型半導体層に接続される第2導電側電極とを備える半導体素子であって、第2導電側電極と、半導体積層部を被覆する絶縁膜とが、離間領域を介して離間して配設され、絶縁膜表面に第1金属層が設けられ、第2導電側電極表面に第1金属層とは材料の異なる第2金属層が設けられていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層及び第2導電型半導体層を有する半導体積層部と、前記第1導電型半導体層に接続される第1導電側電極と、前記第2導電型半導体層に接続される第2導電側電極とを備える半導体素子であって、 前記第2導電側電極と、前記半導体積層部を被覆する絶縁膜とが、離間領域を介して離間して配設され、 前記絶縁膜表面に第1金属層が設けられ、前記第2導電側電極表面に前記第1金属層とは材料の異なる第2金属層が設けられていることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R
Fターム (23件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH01 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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