特許
J-GLOBAL ID：200903071691686477
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-107130
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270261
出願日： 2007年04月16日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】不透明な半導体基板を用いて、金属反射層を形成して高輝度の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】GaAs層3と、GaAs層の表面に配置された第1金属バッファ層2と、第1金属バッファ層上に配置された第1金属層1と、GaAs層の裏面に配置された第2金属バッファ層4と第2金属層5とを備えるGaAs基板構造と、GaAs基板構造上に配置され、第3金属層12と、第3金属層上に配置される金属コンタクト層11と、金属コンタクト層上に配置されるp型クラッド層10と、p型クラッド層に配置される多重量子井戸層9と、多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層8と、n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層7を備える発光ダイオード構造とから構成され、第1金属層1および第3金属層12を用いて、GaAs基板構造と、発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
GaAs層と、前記GaAs層の表面に配置された第1金属バッファ層と、前記第1金属バッファ層上に配置された第1金属層と、前記GaAs層の裏面に配置された第2金属バッファ層と、前記第2金属バッファ層の前記GaAs層と反対側の表面に配置された第2金属層とを備えるGaAs基板構造と、
前記GaAs基板構造上に配置され、第3金属層と、前記第3金属層上に配置される金属コンタクト層と、前記金属コンタクト層上に配置されるp型クラッド層と、前記p型クラッド層に配置される多重量子井戸層と、前記多重量子井戸層上に配置されるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に配置されるウィンドウ層を備える発光ダイオード構造とから構成され、
前記第1金属層および前記第3金属層を用いて、前記GaAs基板構造と、前記発光ダイオード構造を貼り付けることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA33
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB04
, 5F041CB15
, 5F041CB36
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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