特許
J-GLOBAL ID：201603004683220929

工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置

発明者：
カム、デーヴィッド、マルコム

カム、デーヴィッド、マルコム について

, 
バンブロヴィク、ムラデン

バンブロヴィク、ムラデン について

, 
シベレ、ジョセフ

シベレ、ジョセフ について

, 
エリオット、キーファー、ジェイ.

エリオット、キーファー、ジェイ. について

, 
マッコイ、スティーブ

マッコイ、スティーブ について

, 
ステュアート、グレッグ

ステュアート、グレッグ について


出願人/特許権者：
マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド

マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-158761
公開番号（公開出願番号）：特開2013-030772
特許番号：特許第5926142号
出願日： 2012年07月17日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体の工作物を熱アニールし、工作物の熱誘起運動を抑制する機器において、 a)10ミリ秒未満の継続時間を有する高出力フラッシュで該工作物のデバイス面を照射して,105°C/秒よりも速い加熱速度で該工作物のデバイス面を加熱するための少なくとも一つの照射フラッシュ装置を含む工作物加熱システムであって、前記照射フラッシュを照射することにより前記工作物の中心領域と外周領域とが互いに相対的に垂直方向に変位する振動運動を含む熱誘起運動を該工作物に生じさせるように構成された工作物加熱システムと、 b)減衰部材であって、該減衰部材と前記工作物の間のガス圧が前記工作物の前記振動運動を妨げるように前記工作物の静止位置から0.5mm〜3mmだけ離間した、前記減衰部材とを備え、 前記工作物は半導体ウエハを含み、前記ウエハの処理は大気圧で行われ、前記減衰部材は、前記ウエハから離間した減衰プレートを含み、 前記減衰部材は、複数の陥凹部が画定された平面プレートを含み、それによって、各陥凹部の近傍では、前記陥凹部から離れたところよりも小さな減衰力が生じる、前記機器。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/26 Q ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/68 N
引用特許：
審査官引用 (17件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM