特許
J-GLOBAL ID：201603008885872125
基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイ・ピー・ウィン
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-247716
公開番号（公開出願番号）：特開2015-105405
特許番号：特許第5917477号
出願日： 2013年11月29日
公開日（公表日）： 2015年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくともプリカーサとなる原料ガス、前記プリカーサと反応する反応ガス、パージガスを前記基板の中心部と前記基板の周縁部の夫々に独立して供給するガス供給孔を備えたガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記処理室内に前記原料ガスを供給し、前記原料ガスを供給後に前記パージガスを供給し、前記パージガスを供給後に前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給し、前記反応ガスを前記基板の周縁部に供給した後に前記反応ガスを前記基板の中心部に供給し、前記反応ガスを供給後に前記パージガスを供給するように前記ガス供給部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
C23C 16/34
, H01L 21/31 B
, H01L 21/316 X
, C23C 16/455
