特許
J-GLOBAL ID：201603011214234745
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 中村 誠
, 野河 信久
, 峰 隆司
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 井上 正
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057178
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183221
特許番号：特許第5836992号
出願日： 2013年03月19日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に、エアギャップを介して、表面に凹凸を有する被加工膜を形成する工程と、
研磨パッドの表面にドレッサーを接触させて前記研磨パッドをコンディショニングすることで、前記研磨パッドの表面を負のRsk値にする工程と、
前記被加工膜の表面を負のRsk値を有する前記研磨パッドの表面に接触させつつ前記被加工膜および前記研磨パッドを回転させることで前記被加工膜を化学的機械的研磨して前記被加工膜の表面を平坦化する工程と、
平坦化された前記被加工膜の表面をエッチングする工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 N
, H01L 21/304 622 P
, H01L 21/304 622 F
, H01L 21/304 622 M
, H01L 21/302 105 B
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
