特許
J-GLOBAL ID：200903017906103880
研磨液および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-226085
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059908
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】スクラッチを低減しつつSiOC膜を研磨可能な研磨液を提供する。【解決手段】研磨粒子と界面活性剤とを含有する研磨液である。前記研磨粒子は、平均一次粒子径が45nm以上80nm以下の第1のコロイダルシリカと、平均一次粒子径が10nm以上25nm以下の第2のコロイダルシリカとを含み、下記数式で表わされる関係を満たすことを特徴とする。0.63≦w1/(w1+w2)≦0.83 (1)(上記数式中、w1およびw2は、それぞれ研磨液中の第1のおよび第2のコロイダルシリカの重量である。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
研磨粒子と界面活性剤とを含有し、前記研磨粒子は、平均一次粒子径が45nm以上80nm以下の第1のコロイダルシリカと、平均一次粒子径が10nm以上25nm以下の第2のコロイダルシリカとを含み、下記数式で表わされる関係を満たすことを特徴とする研磨液。
0.63≦w1/(w1+w2)≦0.83 (1)
(上記数式中、w1およびw2は、それぞれ研磨液中の第1のおよび第2のコロイダルシリカの重量である。)
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB04
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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