特許
J-GLOBAL ID：201603011577815561

半導体装置の作製方法

発明者：
肥塚 純一

肥塚 純一 について

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山出 直人

山出 直人 について

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佐藤 裕平

佐藤 裕平 について

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岡崎 豊

岡崎 豊 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098409
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238851
特許番号：特許第5951341号
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁膜上に、表面に垂直になるようにc軸配向した結晶を含む第1の結晶性酸化物半導体膜を形成し、 前記第1の結晶性酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の結晶性酸化物半導体膜に酸素を注入して、少なくとも一部が非晶質化した酸化物半導体膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、 前記ゲート電極層上に酸化アルミニウム膜を形成し、 前記一部が非晶質化した酸化物半導体膜に加熱処理を行って少なくとも一部を結晶化させて、表面に垂直になるようにc軸配向した結晶を含む第2の結晶性酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (13件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/14 ( 200 6.01)
FI (10件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/58 Z ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/14 Z
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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