特許
J-GLOBAL ID：201603017542868865

発光ダイオード

発明者：
ティン,スティーブ

ティン,スティーブ について


出願人/特許権者：
マヌティウス アイピー インコーポレーテッド

マヌティウス アイピー インコーポレーテッド について


代理人 (5件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  白井 達哲 ,  日比野 幸信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-004131
公開番号（公開出願番号）：特開2016-119483
出願日： 2016年01月13日
公開日（公表日）： 2016年06月30日
要約：
【課題】加工費低減が可能となる、Vピット内のドーパント濃度が改善された発光素子構造を提供する。【解決手段】発光素子400は、n-GaN層405と、n-GaN層上に設けられ第1の濃度ピークを有するインジウムを含み、1つ以上のVピット435を有する活性層415と、活性層上に設けられた電子ブロッキング層420と、電子ブロッキング層上に設けられたp-GaN層430とを備える。p-GaN層は電子ブロッキング層上に設けられた第1のp形GaN層430aと、Vピット内に延在する第2のp形GaN層430bと、電子ブロッキング層と第1のp形GaN層との間に位置し、第2の濃度ピークを有するインジウムと、電子ブロッキング層と第1のp形GaN層との間、および、Vピットの内面と第2のp形GaN層との間にドープされたマグネシウムとを含み、第1の濃度ピークは、第2の濃度ピークの100倍以上の濃度を示す。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
n形窒化ガリウム(GaN)層と、 前記n形GaN層上に設けられ、第1の濃度ピークを有するインジウムを含む活性層であって、1つ以上のVピットを有する活性層と、 前記活性層上に設けられた電子ブロッキング層と、 前記電子ブロッキング層上に設けられたp形III-V族半導体層と、 を備え、 前記p形III-V族半導体層は、前記電子ブロッキング層の上面よりも上に設けられた第1のp形GaN層と、 前記Vピット内に延在する第2のp形GaN層と、 前記電子ブロッキング層と前記第1のp形GaN層との間に位置し、その間に第2の濃度ピークを有するインジウムと、 前記電子ブロッキング層と前記第1のp形GaN層との間、および、前記Vピットの内面と前記第2のp形GaN層との間にドープされたマグネシウムと、 を含み、 前記第1の濃度ピークは、前記第2の濃度ピークの100倍以上の濃度を示す発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/24 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 174 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205
Fターム (19件)：
5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB17 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA67 ,  5F241AA03 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA49 ,  5F241CA57 ,  5F241CA64 ,  5F241CA65 ,  5F241CB36
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM