レジストパターン形成方法、塗布、現像装置、記憶媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上俊夫 , 三井田友昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-100693
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220471
特許番号：特許第6020344号
出願日： 2013年05月10日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板に化学増幅型のレジストを塗布する工程と、次に前記基板のレジスト膜を露光してパターンの潜像を形成する工程と、露光後のレジスト膜に、第1の加熱源から波長が2.5μm〜5μmの赤外線を選択的に照射する工程と、続いて露光により生じたレジスト膜中の酸を拡散させるために、前記第1の加熱源とは異なる第2の加熱源により、前記基板を加熱する工程と、然る後、基板に現像液を供給して前記レジスト膜にパターンを形成する工程と、を備えたことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：