特許
J-GLOBAL ID:201603018504903637
微小亀裂進展装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松浦 憲三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-132264
公開番号(公開出願番号):特開2016-192570
出願日: 2016年07月04日
公開日(公表日): 2016年11月10日
要約:
【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる微小亀裂進展装置を提供する。【解決手段】内部にレーザ光で改質領域Kを形成したウェーハWを割断するための微小亀裂進展装置において、改質領域から延びる微小亀裂をウェーハ深さ方向に進展させながら、進展した微小亀裂を残して前記改質領域を研削除去する研削手段を備える。ウェーハの裏面(研削面)は熱膨張によって円盤状の場合外周方向に広がろうとする(熱膨張による変位)のに対し、ウェーハの表面(吸着面)はその広がろうとするウェーハ面内の各点を物理的に位置ずれしないように拘束されている。そのため、ウェーハ内部に歪が生じ、この内部歪によりクラックがウェーハWの厚み方向に進展する。【選択図】図16
請求項(抜粋):
内部にレーザ光で改質領域を形成したウェーハを割断するための微小亀裂進展装置において、
前記改質領域から延びる微小亀裂をウェーハ深さ方向に進展させながら、前記進展した微小亀裂を残して前記改質領域を研削除去する研削手段を備える、
微小亀裂進展装置。
IPC (3件):
H01L 21/301
, H01L 21/304
, B23K 26/53
FI (5件):
H01L21/78 V
, H01L21/78 B
, H01L21/304 631
, H01L21/304 621D
, B23K26/53
Fターム (46件):
4E168AE02
, 4E168CA06
, 4E168CB07
, 4E168CB12
, 4E168CB21
, 4E168DA02
, 4E168DA24
, 4E168DA45
, 4E168EA03
, 4E168HA01
, 5F057AA12
, 5F057AA31
, 5F057BA21
, 5F057BB03
, 5F057CA14
, 5F057CA31
, 5F057CA34
, 5F057CA36
, 5F057DA03
, 5F057DA11
, 5F057DA19
, 5F057DA22
, 5F063AA21
, 5F063AA36
, 5F063CB02
, 5F063CB03
, 5F063CB07
, 5F063CB13
, 5F063CB14
, 5F063CB20
, 5F063CB28
, 5F063DD27
, 5F063DD28
, 5F063DD59
, 5F063DD64
, 5F063DD69
, 5F063DD82
, 5F063DD85
, 5F063DE33
, 5F063DF12
, 5F063DG04
, 5F063DG23
, 5F063DG27
, 5F063EE21
, 5F063FF04
, 5F063FF43
引用特許:
審査官引用 (11件)
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半導体基板の切断方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-318883
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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切断起点領域の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-146370
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
ウェーハ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2016-160658
出願人:株式会社東京精密
-
ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-319824
出願人:株式会社ディスコ
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-325022
出願人:株式会社東芝
-
加工対象物切断方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-175835
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
半導体装置の製造装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-005549
出願人:株式会社東芝
-
加工装置および加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-129479
出願人:株式会社ディスコ
-
チップ製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-268024
出願人:株式会社東京精密
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平面加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-066842
出願人:株式会社東京精密
-
光デバイスウエーハの分割方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-254533
出願人:株式会社ディスコ
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