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J-GLOBAL ID：201702212862512357   整理番号：17A0953332

硬X線光電子分光法によるGaN膜のバンドプロファイルの決定

Determination of band profiles in GaN films using hard X-ray photoelectron spectroscopy

著者 (5件)： SAITO Shinji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAITO Shinji (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YOSHIKI Masahiko (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NUNOUE Shinya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SANO Nobuyuki (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 2  ページ： 021003.1-021003.5  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系半導体デバイスの電気的特性を改善するため,半導体と金属コンタクト層の間に中間層を導入し,バンドプロファイル制御を調べた。硬X線光電子分光法により,半導体表面と金属/半導体界面の電子構造を評価した。ポアソン方程式を用いて得られたポテンシャルプロファイルの下で,ボルツマン輸送方程式を用いてモンテカルロシミュレーションを行った。その後,シミュレーションによるエネルギースペクトルを実験によるものと比較し,半導体基板内のバンドプロファイルを調べた。2つの結果の間に良好な一致を得た。この実験的および理論的手法により,半導体の表面付近並びに金属界面におけるバンドプロファイルを決定することができる。この方法は,プロセス条件の設計および/または評価に有用なツールとなり得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *X線光電子分光法 ,  *硬X線 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  層 ,  電子構造 ,  *界面 ,  *表面準位 ,  *金属 ,  *半導体 ,  シミュレーション ,  Poisson方程式 ,  Boltzmann方程式 ,  *バンド構造
準シソーラス用語： 中間層 ,  モンテカルロシミュレーション

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (38件)：

• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
• T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L479 (1998).
• S. Saito, R. Hashimoto, J. Hwang, and S. Nunoue, Appl. Phys. Express 6, 111004 (2013).
• M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
• S. Arulkumaran, T. Egawa, S. Matui, and H. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 86, 123503 (2005).

タイトルに関連する用語 (4件)： 硬X線光電子分光 ,  GaN ,  バンド ,  プロファイル