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J-GLOBAL ID：201702252131097807   整理番号：17A1810876

地上での放射線誘起ビット反転に対する耐災害コンピューティング用のスピントロニクス材料とデバイスのメモリ信頼性

Memory reliability of spintronic materials and devices for disaster-resilient computing against radiation-induced bit flips on the ground

著者 (6件)： HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ITO Taichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 0802A5.1-0802A5.4  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気トンネル接合メモリの信頼性が耐災害コンピューティングでの利用可能性の観点から調べられている。耐災害コンピューティング技術では,停電の緊急事態でも蓄積情報をそのまま維持できるメモリが必要である。このような要請は許容反転確率のスコアとして定量化されていて,20nmのディスク径をもつ単一界面垂直磁気トンネル接合(p-MTJ)では1のFIT(Failure In Time)レートである。この許容確率との比較のために,p-MTJメモリの信頼性が評価されている。粒子照射衝撃,すなわち,アルファ粒子や中性子(地上でよく知られたソフトエラー源)のリスクを衝撃の頻度と衝撃の有害効果の双方の観点から評価されている。本研究では,高エネルギーの地上中性子がp-MTJのソフトエラーを生じさせるが,その反転確率またはリスクは1×10^-6FIT/p-MTJ以下であると期待され,これは目標確率よりもずっと小さいことを強調した。p-MTJの利用は通常のSRAMと比較してリスクを三桁低減できることも分かった。アルファ粒子や熱中性子などの他の放射線粒子に対してもリスクがほとんど示唆されない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 陸地 ,  *スピントロニクス ,  材料 ,  *記憶装置 ,  *信頼性 ,  α粒子 ,  熱中性子 ,  高速中性子 ,  *トンネル接合 ,  単位 ,  *ソフトエラー ,  頻度 ,  衝撃 ,  リスク ,  *磁気トンネル接合
準シソーラス用語： フィット ,  *メモリデバイス ,  高エネルギー中性子 ,  地上

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

引用文献 (18件)：

• S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nat. Mater. 9, 721 (2010).
• T. C. May and M. H. Woods, IEEE Trans. Electron Devices 26, 2 (1979).
• J. F. Ziegler, H. W. Curtis, H. P. Muhlfeld, C. J. Montrose, B. Chin, M. Nicewicz, C. A. Russell, W. Y. Wang, L. B. Freeman, P. Hosier, L. E. LaFave, J. L. Walsh, J. M. Orro, G. J. Unger, J. M. Ross, T. J. O’Gorman, B. Messina, T. D. Sullivan, A. J. Sykes, H. Yourke, T. A. Enger, V. Tolat, T. S. Scott, A. H. Taber, R. J. Sussman, W. A. Klein, and C. W. Wahaus, IBM J. Res. Dev. 40, 3 (1996).
• R. C. Baumann, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 5, 305 (2005).
• H. Miyazaki, Y. Kusano, H. Okano, T. Nakada, K. Seki, T. Shimizu, N. Shinjo, F. Shoji, A. Uno, and M. Kurokawa, Dig. Tech. Pap. ISSCC, 2012, p. 192.

タイトルに関連する用語 (7件)： 地上 ,  放射線 ,  誘起 ,  ビット反転 ,  災害 ,  コンピューティング ,  スピントロニクス