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J-GLOBAL ID：201702259710965150   整理番号：17A1810880

46と64nmの間の接合径をもつ垂直異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合の高速中性子耐性

Fast neutron tolerance of the perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with junction diameters between 46 and 64 nm

著者 (10件)： NARITA Yuzuru (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  TAKAHASHI Yutaka (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  HARADA Masahide (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  OIKAWA Kenichi (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), Sagamihara, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), Sagamihara, JPN) ,  SATO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8  ページ： 0802B3.1-0802B3.5  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 46から64nmの間の実質的な接合径(D)をもつ垂直異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合(p-MTJ)に対する高速中性子曝露の効果の初めての研究を報告する。この研究では,それぞれ90%以上のトンネル磁気抵抗(TMR)比をもつ461個のp-MTJを,バイアス電圧を与えずに,大気中性子(20cm^-2h^-1)による1.90×10¹¹hの照射に対応する,2.79×10¹²cm^-2のフルエンスに等価な総計1MeVの高速中性子で照射した。照射後,中性子のフルエンスにかかわらず,それらの抵抗対磁場曲線や平行および反平行状態の抵抗値またはTMR比など,これらのデバイスの性質には全く変化がなかった。これらのデータを基に,この研究で使用した特定の実験的中性子照射条件下で生ずる核反応を考察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  *酸化マグネシウム ,  *高速中性子 ,  曝露試験 ,  フルエンス ,  磁気抵抗 ,  ホウ素含有合金 ,  コバルト含有合金 ,  *鉄合金 ,  *耐放射線性 ,  中性子照射 ,  核反応 ,  *磁気トンネル接合
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  金属の放射線による構造と物性の変化  (BK16122N)

引用文献 (23件)：

• Y. Fujisaki, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 040001 (2013).
• S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, F. Matsukura, Y. Ohno, T. Hanyu, and H. Ohno, IEEE Trans. Electron Devices 54, 991 (2007).
• S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nat. Mater. 9, 721 (2010).
• D. C. Worledge, G. Hu, P. L. Trouilloud, D. W. Abraham, S. Brown, M. C. Gaidis, J. Nowak, E. J. O’Sullivan, R. P. Robertazzi, J. Z. Sun, and W. J. Gallagher, IEDM Tech. Dig., 2010, p. 296.
• S. H. Kang, Dig. Tech. Pap. Symp. VLSI Technology, 2014, p. 44.

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  異方性 ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  高速中性子 ,  耐性