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J-GLOBAL ID：201702279773568995   整理番号：17A0955310

4H-SiC(0001)の超高温酸化における急冷処理の影響

Impact of rapid cooling process in ultrahigh-temperature oxidation of 4H-SiC(0001)

著者 (9件)： SOMETANI Mitsuru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SOMETANI Mitsuru (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAGAI Daisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATSU Yoshihito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEI Manabu (Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YONEZAWA Yoshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CR04.1-04CR04.3  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高温酸化で形成した高品質SiO₂/SiC界面が冷却処理期間に劣化することを避けるため,超高温酸化に対して急速水クェンチ処理を行った。水クェンチ処理を伴う乾燥O₂環境超高温酸化で形成したSiO₂/4H-SiC(0001)界面では,自然冷却処理と比較して,界面状態密度の減少が観測された。水クェンチ処理を用いて形成した熱成長SiO₂/SiC構造について,界面状態密度の酸化温度依存性を調べた。その結果,界面特性の劣化は,冷却処理期間だけでなく,1気圧100%乾燥O₂環境で1500°C以上という過剰高温での連続酸化処理期間でも発生していることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  *キャリア移動度 ,  状態密度 ,  界面 ,  高温酸化 ,  急冷
準シソーラス用語： 電力MOSFET ,  SiC素子 ,  界面状態密度

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 6835 (2004).
• T. Kimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• S. Harada, R. Kosugi, J. Senzaki, W. Cho, K. Fukuda, K. Arai, and S. Suzuki, J. Appl. Phys. 91, 1568 (2002).
• H. Yoshioka, J. Senzaki, A. Simozato, Y. Tanaka, and H. Okumura, AIP Adv. 5, 017109 (2015).
• K. Kutsuki, S. Kawaji, Y. Watanabe, S. Miyahara, and J. Saito, Mater. Sci. Forum 821-823, 757 (2015).

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  高温酸化 ,  急冷