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J-GLOBAL ID：201702287530517276   整理番号：17A0953261

4H-SiC基板上に成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのGaNバッファ層におけるMg補償効果

Mg-compensation effect in GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors grown on 4H-SiC substrate

著者 (9件)： KO Kwangse (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR) ,  LEE Kyeongjae (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR) ,  SO Byeongchan (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR) ,  HEO Cheon (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR) ,  LEE Kyungbae (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR) ,  KWAK Taemyung (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR) ,  HAN Sang-Woo (Hongik Univ., Seoul, KOR) ,  CHA Ho-Young (Hongik Univ., Seoul, KOR) ,  NAM Okhyun (Korea Polytechnic Univ. (KPU), Gyeonggi, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 1  ページ： 015502.1-015502.5  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,半絶縁性4H-SiC基板上に有機金属気相成長法により成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)構造の窒化ガリウム(GaN)バッファ層(BL)におけるMgドーピング効果を調べた。Mg濃度を3×10¹⁷から8×10¹⁸cm^-3に増加させたところ,結晶性は若干低下し,電気特性は大きく変化した。アイソレーションリーク電流試験と低温フォトルミネッセンスで確認されたMg濃度3×10¹⁷および8×10¹⁸cm^-3では,Mg補償効果および電子トラップ効果が観測された。BLが補償されたとき,HEMTの二次元電子ガス(2DEG)移動度およびシートキャリア濃度は,それぞれ1560cm²V^-1s^-1および5.06×10¹²cm^-2であった。その結果,MgドープGaNのBLが,AlGaN/GaN HEMTの半絶縁性BLの候補であることが実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  MOCVD ,  アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *ドーピング ,  マグネシウム ,  補償効果 ,  電子 ,  捕獲 ,  二次元電子ガス ,  キャリア密度 ,  *バッファ層 ,  光ルミネセンス ,  スペクトル ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  AlGaN/GaN ,  電子トラップ ,  光ルミネセンススペクトル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (28件)：

• U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y.-F. Wu, Proc. IEEE 96, 287 (2008).
• N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida, Proc. IEEE 98, 1151 (2010).
• R. S. Pengelly, S. M. Wood, J. W. Milligan, S. T. Sheppard, and W. L. Pribble, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012).
• P. B. Klein, J. A. Freitas, Jr., S. C. Binari, and A. E. Wickenden, Appl. Phys. Lett. 75, 4016 (1999).
• S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  バッファ層 ,  Mg ,  補償効果