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J-GLOBAL ID：201702291615583627   整理番号：17A1220480

自立GaN基板に関する表面熱安定性

Surface thermal stability of free-standing GaN substrates

著者 (6件)： OKADA Shunsuke (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAGAWA Reina (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ERYU Osamu (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 1S  ページ： 01AC08.1-01AC08.5  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN表面の熱安定性を,自立GaN基板上でのホモエピタクシーに関して調べた。自立性GaN表面の形態およびエッチングレートを,極性(0001),非極性(10-10),ならびに半極性(20-21)および(20-2-1)面について,熱的浄化の前後で調べた。極性(0001)面の場合には,研磨スクラッチは,1000°Cより高温での熱的浄化によって消失した。表面形態は,浄化温度だけでなく,基板との角度のずれにも依存した。熱浄化後の表面は,基板とのずれが0.05°を超えると粗くなった。熱浄化後の非極性面および半極性面の場合には,表面形態およびエッチングレートは,面に強く依存した。(10-10)面については,平坦表面が,1100°Cまでの浄化温度で保持されたが,(20-21)面の表面は,浄化温度の上昇と共に粗くなった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  *モルフォロジー ,  *表面構造 ,  熱安定性 ,  極性 ,  非極性 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  熱処理 ,  浄化 ,  損傷 ,  温度依存性 ,  *ホモエピタクシー ,  表面形態 ,  半極性 ,  スクラッチ ,  *構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (30件)：

• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
• S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 32, L8 (1993).
• J. Ma, X. Zhu, K. Wong, X. Zou, and K. M. Lau, J. Cryst. Growth 370, 265 (2013).
• U. Zehnder, A. Weimar, U. Strauss, M. Fehrer, B. Hahn, H. J. Lugauer, and V. Harle, J. Cryst. Growth 230, 497 (2001).
• Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994).

タイトルに関連する用語 (3件)： 自立 ,  GaN ,  熱安定性