特許

J-GLOBAL ID：201703000492248752

半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体

発明者： 渡橋 由悟 ,  森谷 敦
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-253099
公開番号（公開出願番号）：特開2017-117977
出願日： 2015年12月25日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：

【課題】基板上に形成する膜の膜質を向上させる。【解決手段】基板に対してハロゲン系の第1の処理ガスを供給する工程と、基板に対して非ハロゲン系の第2の処理ガスを供給する工程と、を交互に行うことで、基板上にシード層を形成する工程と、基板に対して第3の処理ガスを供給してシード層上に膜を形成する工程と、を有し、第1の処理ガスを供給する工程における基板が存在する空間の圧力を、第2の処理ガスを供給する工程における基板が存在する空間の圧力よりも大きくする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板に対してハロゲン系の第1の処理ガスを供給する工程と、前記基板に対して非ハロゲン系の第2の処理ガスを供給する工程と、を交互に行うことで、前記基板上にシード層を形成する工程と、 前記基板に対して第3の処理ガスを供給して前記シード層上に膜を形成する工程と、 を有し、前記第1の処理ガスを供給する工程における前記基板が存在する空間の圧力を、前記第2の処理ガスを供給する工程における前記基板が存在する空間の圧力よりも大きくする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  C23C 16/24 ,  C30B 25/16

FI (6件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671B ,  C23C16/24 ,  C30B25/16

Fターム (94件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077EA04 ,  4G077EH06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TJ04 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC04 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE01 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045DB03 ,  5F045DB05 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EG02 ,  5F045EK06 ,  5F045EK08 ,  5F045EK12 ,  5F045HA16 ,  5F083AD04 ,  5F083AD24 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP76 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA33 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F152LL03 ,  5F152LM02 ,  5F152LM08 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NQ03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-281539   出願人：株式会社日立国際電気
• シリコン膜の成膜方法、薄膜の成膜方法および断面形状制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-104835   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-043539   出願人：株式会社日立国際電気
• アモルファスシリコン膜の成膜方法および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-042007   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-237988   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-146008   出願人：株式会社日立国際電気