特許
J-GLOBAL ID：201703001123710376
薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-083282
公開番号（公開出願番号）：特開2014-207292
特許番号：特許第6151070号
出願日： 2013年04月11日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャネル層に第1の酸化物半導体層を用いるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、
基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたチャネル層となる第1の酸化物半導体層と、前記チャネル層となる第1の酸化物半導体層上に形成されたチャネル保護層と、
ソース領域において前記第1の酸化物半導体層から前記チャネル保護層の一端上部まで延伸して形成された第2の酸化物半導体層とソース電極との第1の積層膜と、
ドレイン領域において前記第1の酸化物半導体層から前記チャネル保護層の他端上部まで延伸して形成された第2の酸化物半導体層とドレイン電極との第2の積層膜と、
前記ソース電極、前記チャネル保護層、前記ドレイン電極を覆って形成されたパッシベーション膜と、を備え、
前記第1と前記第2の酸化物半導体層はインジウムと酸素とを含み、前記第2の酸化物半導体層では前記第1の酸化物半導体層に比べて酸素とインジウムの含有量比(O/In)が等しいか大きく、
前記第2の酸化物半導体層の膜厚は、前記チャネル保護層下部の前記第1の酸化物半導体層の膜厚よりも厚く、
前記第2の酸化物半導体層における113In濃度は、前記第1の酸化物半導体層における113In濃度の0.1〜1倍であり、
前記第2の酸化物半導体層における115In16O濃度は、前記第1の酸化物半導体層における115In16O濃度の1〜2倍であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 619 A
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/50 M
, G02F 1/136
, H05B 33/14 A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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