特許
J-GLOBAL ID：201703001148585681

半導体装置およびその作製方法

発明者：
手塚 祐朗

手塚 祐朗 について

, 
田中 哲弘

田中 哲弘 について

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遠藤 俊弥

遠藤 俊弥 について

, 
一條 充弘

一條 充弘 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-088765
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213452
出願日： 2016年04月27日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：
【課題】耐圧の高いトランジスタを提供する。または、歩留りの高いトランジスタを提供する。または、寄生容量の小さいトランジスタを提供する。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体と、第1の導電体と、第2の導電体と、第3の導電体と、第4の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、第3の絶縁体と、第4の絶縁体と、を有し、第1の導電体と、半導体とは、第1の絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、第2の導電体および第3の導電体は、半導体と接する領域を有し、半導体は、第2の絶縁体と接する領域を有し、第4の絶縁体は、第1の領域と、第2の領域と、を有し、第1の領域は第2の領域より厚く、第1の領域は、第2の絶縁体と接する領域を有し、第2の領域は、第3の絶縁体と接する領域を有し、第4の導電体と、第2の絶縁体とは、第4の絶縁体を介して互いに重なる領域を有する半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体と、第1の導電体と、第2の導電体と、第3の導電体と、第4の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、第3の絶縁体と、第4の絶縁体と、を有し、 前記第1の導電体と、前記半導体とは、前記第1の絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、 前記第2の導電体および前記第3の導電体は、前記半導体と接する領域を有し、 前記半導体は、前記第2の絶縁体と接する領域を有し、 前記第4の絶縁体は、第1の領域と、第2の領域と、を有し、 前記第1の領域は前記第2の領域より厚く、 前記第1の領域は、前記第2の絶縁体と接する領域を有し、 前記第2の領域は、前記第3の絶縁体と接する領域を有し、 前記第4の導電体と、前記第2の絶縁体とは、前記第4の絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、 前記第3の絶縁体は、フッ素を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (11件)：
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617N ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 681F ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/14 E ,  H01L27/14 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (162件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB07 ,  3K107BB08 ,  3K107CC13 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA24 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  4M118FC02 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GC20 ,  4M118GD04 ,  4M118HA22 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083AD53 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA19 ,  5F083LA00 ,  5F083LA11 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA15 ,  5F083ZA23 ,  5F083ZA25 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA11 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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