特許
J-GLOBAL ID：201703001235990282
電子デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川上 光治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-157399
公開番号（公開出願番号）：特開2015-028974
特許番号：特許第6149578号
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上方に第1容量素子下部電極と第2容量素子下部電極を形成する工程と、
前記第1容量素子下部電極、前記第2容量素子下部電極の上方に第1誘電体膜を形成する工程と、
前記第1誘電体膜の上方に第1金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜の上方に第2誘電体膜を形成する工程と、
前記第2誘電体膜の上方に第2金属膜を形成する工程と、
マスクを使用して前記第1容量素子下部電極上の前記第2誘電体膜及び前記第2金属膜を残しつつ、前記第2容量素子下部電極の上方から前記第2金属膜と前記第2誘電体膜とを除去する工程と、
前記第1容量素子下部電極の上方の前記第2金属膜に重なる第1容量素子上部電極を形成する工程と、
前記第2容量素子下部電極の上方の前記第1金属膜の上方に第2容量素子上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/88 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
H01L 27/04 C
, H01L 29/88 F
, H01L 29/91 A
, H01L 21/88 S
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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