金属-絶縁体-金属キャパシタを含む半導体素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-356440
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175491
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】金属-絶縁体-金属キャパシタを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁膜120上に第1の金属層及び誘電膜を順次形成した後、誘電膜をパターニングして金属-絶縁体-金属キャパシタ160が形成される部分にのみ誘電膜を残し、誘電膜及び第1の金属層上に第2の金属層を形成する半導体素子の製造方法である。第2の金属層、誘電膜及び第1の金属層を一度にパターニングして、一側には、第1及び第2の金属層135a,135a’,145a,145a’が積層された配線152,155を形成すると同時に、他側には、第1の金属層より成る下部電極135b、誘電膜140b、及び第2の金属層より成る上部電極145bを含む金属-絶縁体-金属キャパシタ160を形成する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に第1の金属層及び誘電膜を順次形成する段階と、前記誘電膜をパターニングして金属-絶縁体-金属キャパシタが形成される部分にのみ誘電膜を残す段階と、前記誘電膜及び第1の金属層上に第2の金属層を形成する段階と、前記第2の金属層、誘電膜、及び第1の金属層を一度にパターニングして、一側には、前記第1及び第2の金属層が積層された配線を形成すると同時に、他側には、前記第1の金属層より成る下部電極、前記誘電膜、及び前記第2の金属層より成る上部電極を含む金属-絶縁体-金属キャパシタを形成する段階と、を含む半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 C , H01L21/88 R

Fターム (41件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP33 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033VV10 , 5F033XX01 , 5F033XX09 , 5F038AC02 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038CD18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

大韓民国特許出願公開第2003-044842号明細書
米国特許第6,391,707号明細書

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法及びその製造方法を用いて製造された半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-009322 出願人：三菱電機株式会社
半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-255966 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-089290 出願人：株式会社東芝

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