特許
J-GLOBAL ID：201703001534069809

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
渡邉 則之

渡邉 則之 について

, 
星 拓也

星 拓也 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-031839
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152467
出願日： 2016年02月23日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、チャネルとソース・ドレイン電極との間のアクセス抵抗をより下げることができるようにする。【解決手段】メサ部とソース電極106の間およびメサ部とドレイン電極107との間のチャネル層102のメサ部側面に接して形成されたGaAsまたはGaSbからなる接続層108,109を備える。例えば、接続層108,109は、InxGa1-xAs(0≦x≦1)から構成され、チャネル層102のメサ部側面に接する箇所はGaAsとされている。より詳しくは、チャネル層102の側面に接する第1接続層108a,109aと、第1接続層108a,109aに連続して形成された第2接続層108b,109bを備える。第1接続層108a,109aは、InxGa1-xAsのxを0としたGaAsから構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成されたGaNからなるチャネル層と、 前記チャネル層の上に形成された窒化物半導体からなるバリア層と、 前記チャネル層および前記バリア層からなり所望とする幅に形成されたメサ部と、 前記バリア層の上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、 前記メサ部を挾んで配置されて前記チャネル層に接続するソース電極およびドレイン電極と、 前記メサ部と前記ソース電極の間および前記メサ部と前記ドレイン電極との間の前記チャネル層の前記メサ部側面に接して形成されたGaAsまたはGaSbからなる接続層と を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L ,  H01L29/50 M
Fターム (54件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV05 ,  5F102HB02 ,  5F102HB07 ,  5F102HB09 ,  5F102HC02 ,  5F140AA10 ,  5F140AC01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB01 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC13 ,  5F140BD07 ,  5F140BE09 ,  5F140BF17 ,  5F140BF22 ,  5F140BF25 ,  5F140BF42 ,  5F140BG27 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK11 ,  5F140BK17
引用特許：
審査官引用 (8件)
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