特許
J-GLOBAL ID：201703001874111028
半導体レーザ素子、及び光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-085633
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152724
出願日： 2017年04月24日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】周波数特性の向上と製造歩留りの向上がともに実現される半導体レーザ素子及び光半導体装置の提供。【解決手段】第1のピッチの第1の回折格子領域と、第2のピッチの第2の回折格子領域と、前記第1のピッチの第3の回折格子領域とが、光の出射側から順に接して並ぶ回折格子と、光の出射側の端面に形成される反射抑制膜と、その反対側の端面に形成される反射膜と、を備える半導体レーザ素子であって、前記第1の回折格子領域が前記第3の回折格子領域より長く、前記第1と前記第3の回折格子領域の位相が、0.6π以上0.9π以下の範囲でシフトするとともに、前記第1及び前記第2の回折格子領域の境界において位相が連続するよう、かつ前記第2及び前記第3の回折格子領域の境界において位相が連続するよう、前記第2の回折格子領域は、前記第2のピッチ及び前記第2の回折格子領域の長さを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1のピッチの周期的形状を有する第1の回折格子領域と、前記第1のピッチと異なる第2のピッチの周期的形状を有する第2の回折格子領域と、前記第1のピッチの周期的形状を有する第3の回折格子領域とが、光の出射側から光の進行方向に沿って順に接して並ぶ回折格子と、
光の出射側の端面に形成される反射抑制膜と、
前記光の出射側の端面とは反対側の端面に形成される反射膜と、
を備える半導体レーザ素子であって、
光の進行方向に沿う長さは、前記第1の回折格子領域が前記第3の回折格子領域より長く、
前記第1の回折格子領域の位相と前記第3の回折格子領域の位相が、0.6π以上0.9π以下の範囲でシフトするとともに、前記第1及び前記第2の回折格子領域の境界において前記第1及び前記第2の回折格子領域の位相が連続するよう、かつ前記第2及び前記第3の回折格子領域の境界において前記第2及び前記第3の回折格子領域の位相が連続するよう、前記第2の回折格子領域は、前記第2のピッチ及び前記第2の回折格子領域の光の進行方向に沿う長さを有し、
前記回折格子の光結合効率と前記回折格子の光の進行方向に沿う長さとの積が2.0以上2.5以下である、
ことを特徴とする、半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F173AA08
, 5F173AA26
, 5F173AA47
, 5F173AB14
, 5F173AB23
, 5F173AB28
, 5F173AG05
, 5F173AG12
, 5F173AH14
, 5F173AL04
, 5F173AP92
, 5F173AR35
, 5F173AR93
審査官引用 (9件)
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特開平4-326781
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特公平2-019987
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-079978
出願人：日本電気株式会社
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