特許
J-GLOBAL ID：200903075776228724

半導体レーザ並びにそれを用いた光モジュール及び機能集積型レーザ

発明者：
青木 雅博

青木 雅博 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-100089
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311556
出願日： 2003年04月03日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】Alを含む化合物半導体による発光層を有する、簡易な作製方法で実現可能な半導体レーザ並びにそれを用いた光モジュール及び機能集積型レーザを提供すること。【解決手段】p型のInP半導体基板201の上に形成した、InGaAlAsを含む多重量子井戸構造で構成された発光層205と、該発光層の近傍に配置した半導体層209に放出された光を分布反射するための、光の進行方向に沿う周期的回折格子211とを少なくとも有し、周期的回折格子211は、レーザの発振波長において光学利得を有するInGaAsP材料を含む多重量子井戸構造209で構成され、かつ屈折率及び光学利得が周期的に摂動を受ける利得回折格子である。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1の導電型のInP半導体基板と、第1の導電型のバッファ層と、発光層と、該発光層の近傍に配置した半導体層に放出された光を分布反射するための、光の進行方向に沿う周期的回折格子と、第2の導電型のクラッド層とを少なくとも有し、 上記バッファ層、上記発光層、上記周期的回折格子及び上記クラッド層は、上記半導体基板の上にこの順に形成されており、 前記発光層は、InAlAs,InGaAlAsのいずれかを少なくとも含む半導体層を含み、 前記周期的回折格子は、レーザの発振波長において光学利得を有するInP,InGaAsP,InGaAs材料のいずれかを少なくとも含み、かつ屈折率及び光学利得が周期的に摂動を受ける利得回折格子であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S5/12 ,  H01S5/022 ,  H01S5/34
FI (3件)：
H01S5/12 ,  H01S5/022 ,  H01S5/34
Fターム (17件)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AA64 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073CA15 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06
引用特許：
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (19件)
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