金属充填構造体の製造方法及び金属充填構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-164259
公開番号（公開出願番号）：特開2015-034306
特許番号：特許第6187008号
出願日： 2013年08月07日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】導電性を有する基材の第1の面に向かって開口する有底孔を形成し、第1の条件で前記基材の前記第1の面と、前記有底孔の側面及び底部とに絶縁材料を形成し、前記有底孔の底部に形成された前記絶縁材料を除去し、前記第1の条件よりも形成効率の低い第2の条件で前記基材の前記第1の面に前記絶縁材料を形成することにより、前記有底孔の底部以外の部分に絶縁層を形成し、無電解めっきにより前記絶縁層から露出する前記有底孔の底部に金属材料層を形成し、前記基材の前記第1の面に対向する第2の面に形成された前記絶縁層を除去し、前記基材の前記第2の面から給電する電解めっきにより、前記金属材料層をシード層として前記有底孔内に金属材料を充填することを特徴とする金属充填構造体の製造方法。

IPC (6件)：

C25D 7/12 ( 200 6.01) , H01L 23/522 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , B81C 1/00 ( 200 6.01) , H01L 21/288 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C25D 7/12 , H01L 21/88 J , B81C 1/00 , H01L 21/288 E

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭58-207652
特開昭60-170250
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329216 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (8件)

特開昭58-207652
特開昭60-170250
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329216 出願人：ソニー株式会社

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