特許
J-GLOBAL ID：201703002641495604

リソグラフィ装置及び方法

発明者：
ハイスベルトセン,アルヤン

ハイスベルトセン,アルヤン について

, 
ジェラエツ,ヒューベルトス,アントニウス

ジェラエツ,ヒューベルトス,アントニウス について

, 
セーゲルス,バート,ピーター,ベルト

セーゲルス,バート,ピーター,ベルト について

, 
ダビドワ,ナタリア,ヴィクトロヴナ

ダビドワ,ナタリア,ヴィクトロヴナ について


出願人/特許権者：
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.

エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-536164
特許番号：特許第6084227号
出願日： 2012年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 EUV放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされたEUV放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持する支持構造と、 前記パターニングされたEUV放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備え、 前記支持構造には、一連の第2の反射部分と交互に配置された一連の第1の反射部分を有する格子が設けられ、前記第2の反射部分の反射率は、前記第1の反射部分の少なくとも一部の反射率未満でありゼロより大きく、 前記第1の反射部分の各々は、反射ラインと吸収ラインとを有する副格子を備え、前記第2の反射部分は、パターニングされていない区域を備える、 リソグラフィ装置。
IPC (2件)：
G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  G01B 11/00 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G03F 7/20 503 ,  G01B 11/00 A
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM