特許
J-GLOBAL ID：201703003461587353

電界効果トランジスタ

発明者：
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-221208
公開番号（公開出願番号）：特開2017-050559
出願日： 2016年11月14日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：
【課題】インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減する構造を提供する。【解決手段】インジウムを主要成分とする、厚さ0.1〜100nmの第1の酸化物半導体(例えば、酸化インジウム)よりなる第1の半導体層1の一方の面に絶縁膜4を設け、他の面に接して、I型の第2の酸化物半導体(例えば、酸化ガリウム)よりなる第2の半導体層2を設ける。第2の酸化物半導体の真空準位からフェルミレベルまでのエネルギー差は第1の酸化物半導体のものよりも大きい。【効果】上記の条件を満たす第2の酸化物半導体との接触面近傍においては、極めてキャリア濃度の低い領域(準I型領域)となるので、その部分をチャネルとすることにより、オフ電流が低減できる。また、FETのドレイン電流は移動度の高い第1の酸化物半導体を流れるので、大電流を取り出せる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の酸化物半導体よりなる第1の半導体層、第2の酸化物半導体よりなる第2の半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、 前記第2の半導体層上に前記第1の半導体層を有し、 前記第1の半導体層上に前記ゲート絶縁膜を有し、 前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を有し、 前記第1の半導体層に接して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有し、 前記第2の酸化物半導体のバンドギャップは前記第1の酸化物半導体より大きく、 前記第2の酸化物半導体の真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差が、前記第1の酸化物半導体の真空準位とフェルミ準位とのエネルギー差よりも大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (3件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V
Fターム (56件)：
5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (8件)
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