特許
J-GLOBAL ID：201703003567433908

結晶成長方法および結晶成長装置

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について

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中村 優

中村 優 について

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ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア

ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア について

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島村 清史

島村 清史 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-509168
特許番号：特許第6083096号
出願日： 2013年04月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】空洞部を備えた反応容器と、前記反応容器を加熱する加熱部と、を備えた結晶成長装置であって、 前記空洞部内には、基板ホルダーと非ガス原料容器とが取り付けられており、 前記空洞部内を前記基板ホルダー側の成長室と前記非ガス原料容器側の蒸発室の2室に分割するように仕切りが配置されており、 前記仕切りには前記2室を連通する一又は二以上の孔部が設けられており、 前記反応容器には、前記成長室に連通するガス供給管とガス排気管が接続されるとともに、前記蒸発室に連通するガス供給管とガス排気管が接続されており、 前記非ガス原料容器が、凹部を有する容器と、前記凹部を覆う蓋部とからなり、前記容器にはガス供給管連結部が設けられていることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (7件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 23/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  C23C 16/448 ( 200 6.01) ,  C23C 14/24 ( 200 6.01) ,  C23C 14/00 ( 200 6.01)
FI (8件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 23/00 ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/448 ,  C23C 14/24 A ,  C23C 14/00 B ,  C23C 14/24 M
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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