特許
J-GLOBAL ID：201703003971705822
半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-011400
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135144
出願日： 2016年01月25日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【課題】本発明は、より安価に絶縁破壊電圧を向上させた半導体モジュールの提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体モジュールは、表面と裏面とを有し、表面及び裏面上に回路パターンを有する絶縁基板と、表面上の回路パターンに接合される半導体素子と、裏面上の回路パターンに接合されるベース板とを備えている。絶縁基板とベース板との距離は、表面上の回路パターンの厚さよりも長い。これにより、より安価に半導体モジュールの絶縁破壊電圧を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面と裏面とを有し、前記表面上及び前記裏面上に回路パターンを有する絶縁基板と、
前記表面上の前記回路パターンに接合された半導体素子と、
前記裏面上の前記回路パターンに接合されたベース板とを備え、
前記裏面と前記ベース板との距離が、前記表面上の前記回路パターンの厚さよりも大きい、半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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