特許
J-GLOBAL ID:201703007202394801

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人あいち国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-101485
公開番号(公開出願番号):特開2017-208978
出願日: 2016年05月20日
公開日(公表日): 2017年11月24日
要約:
【課題】同時にスイッチング動作する複数の上アーム半導体素子の、基準電位のばらつきを抑制できる電力変換装置を提供すること。【解決手段】複数の半導体素子2と、フリーホイールダイオード4と、制御回路部3とを備える。制御回路部3によって、互いに並列に接続された複数の上アーム半導体素子2Hを同時にスイッチング動作すると共に、互いに並列に接続された複数の下アーム半導体素子2Lを同時にスイッチング動作させている。制御回路部3は、上アーム半導体素子2Hのスイッチング速度diH/dtを、下アーム半導体素子のスイッチング速度diL/dtよりも遅くするよう構成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の半導体素子(2)と、 個々の該半導体素子に逆並列接続したフリーホイールダイオード(4)と、 上記半導体素子のスイッチング動作を制御する制御回路部(3)とを備え、 上記半導体素子には、上アーム側に配された上アーム半導体素子(2H)と、下アーム側に配された下アーム半導体素子(2L)とがあり、上記制御回路部によって、互いに並列に接続された複数の上記上アーム半導体素子を同時にスイッチング動作させると共に、互いに並列に接続された複数の上記下アーム半導体素子を同時にスイッチング動作させるよう構成され、 上記制御回路部は、上記上アーム半導体素子のスイッチング速度(diH/dt)を、上記下アーム半導体素子のスイッチング速度(diL/dt)よりも遅くするよう構成されている、電力変換装置(1)。
IPC (1件):
H02M 7/48
FI (1件):
H02M7/48 Z
Fターム (15件):
5H770AA15 ,  5H770BA02 ,  5H770DA03 ,  5H770DA41 ,  5H770JA19X ,  5H770PA13 ,  5H770PA14 ,  5H770PA15 ,  5H770PA16 ,  5H770PA42 ,  5H770QA01 ,  5H770QA06 ,  5H770QA12 ,  5H770QA14 ,  5H770QA27
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 電力変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2013-164671   出願人:株式会社日立製作所
  • 電力変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-178821   出願人:富士電機株式会社
  • ゲート駆動回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2014-162758   出願人:株式会社デンソー
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審査官引用 (5件)
  • 電力変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2013-164671   出願人:株式会社日立製作所
  • 電力変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2010-178821   出願人:富士電機株式会社
  • ゲート駆動回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2014-162758   出願人:株式会社デンソー
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