特許
J-GLOBAL ID：201703007601299170
ウエーハの加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-010291
公開番号（公開出願番号）：特開2017-130598
出願日： 2016年01月22日
公開日（公表日）： 2017年07月27日
要約：
【課題】DAFの接着不良箇所の位置に基づいてDAFの接着が良好なチップだけをピックアップすること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、基材テープ(11)上に糊層(12)を介してDAF(13)を積層したダイシングテープ(10)をウエーハ(W)の裏面に貼着する工程と、ダイシングテープ側からのウエーハの撮像画からDAFの接着不良箇所の位置を記憶する工程と、ウエーハをDAF付きのチップに分割する工程と、紫外線によってダイシングテープの糊層を硬化させる工程と、接着不良箇所の位置を基にDAF接着良好なチップを糊層とDAFとの境で離間させDAF付きのチップをピックアップする工程とを有している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
分割予定ラインで区画してデバイスを形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面にDAFと紫外線の照射によって硬化する糊層を有するダイシングテープを貼着させるテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程を実施した後、ダイシングテープ側からウエーハを撮像した撮像画から、DAFとウエーハとの間が未接着となった接着不良箇所の位置を記憶する記憶工程と、
該記憶工程を実施した後、ウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割すると共にDAFを分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、ダイシングテープに紫外線を照射させ該糊層を硬化させ粘着力を低下させる紫外線照射工程と、
該紫外線照射工程の後、該記憶工程で記憶した位置を基にDAF接着良好なチップを該糊層とDAFとの境で離間させDAFと共にピックアップするピックアップ工程と、
を備えるウエーハの加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/53
, B23K 26/364
H01L21/78 Y
, H01L21/78 Q
, B23K26/53
, B23K26/364
4E168AD02
, 4E168AD18
, 4E168AE01
, 4E168CB03
, 4E168JA11
, 4E168JA27
, 5F063AA04
, 5F063AA33
, 5F063BA33
, 5F063CA01
, 5F063CA04
, 5F063CB07
, 5F063CB29
, 5F063CC25
, 5F063CC32
, 5F063DD59
, 5F063DD86
, 5F063DE11
, 5F063DE19
, 5F063DE34
, 5F063DF12
, 5F063DG04
, 5F063EE22
, 5F063EE43
, 5F063EE44
