特許
J-GLOBAL ID：201703007796903972
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-118962
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236189
特許番号：特許第6048317号
出願日： 2013年06月05日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 裏面側が高濃度不純物層(1)とされていると共に表面側が前記高濃度不純物層よりも低不純物濃度とされたドリフト層(2)とされ、第1導電型の炭化珪素にて構成された半導体基板(1、2)と、
前記ドリフト層(2)の上に形成された炭化珪素からなるベース領域(3)と、
前記ベース領域の上層部に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度の第1導電型の炭化珪素で構成されたソース領域(4)と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深くまで形成されたトレンチ(6)内に形成され、該トレンチの内壁面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、を有して構成されたトレンチゲート構造と、
前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極(9)と、
前記半導体基板の裏面側における前記高濃度不純物層と電気的に接続されるドレイン電極(10)とを有する縦型MOSFETを備え、
前記ベース領域は、第2導電型不純物濃度が異なった領域(3a、3b)を有した構成とされ、高不純物濃度とされた高濃度ベース領域(3a)と、該高濃度ベース領域よりも低不純物濃度とされた低濃度ベース領域(3b)とが積層されており、前記トレンチの側面に前記高濃度ベース領域および前記低濃度ベース領域が接しており、
前記低濃度ベース領域は、第2導電型不純物がノンドープとされた層であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 E
, H01L 29/78 658 G
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/06 301 D
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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