特許
J-GLOBAL ID：201703011542538422

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
明田 正俊

明田 正俊 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  京村 順二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152787
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017326
特許番号：特許第6103839号
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面および裏面、ならびに前記表面および前記裏面に交差する端面を有する第1導電型のワイドバンドギャップ半導体からなるドリフト層と、 前記ドリフト層の厚さ方向途中に形成され、前記ドリフト層とは異なるドーパントを有する半導体からなる埋め込み層と、 前記埋め込み層に隣り合って形成され、前記ドリフト層よりもドーパント濃度が高い第1導電型の低抵抗部と、 前記ドリフト層の表面側の周縁部に、前記ドリフト層の前記端面に達しないように形成された第2導電型のガードリングと、 前記ガードリングと一部が重なるように前記ドリフト層上に配置された絶縁膜と、 前記表面側において前記ガードリングおよび前記絶縁膜と一部が重なるように配置され、前記ドリフト層に電気的に接続された第1電極と、 前記裏面側において前記ドリフト層に電気的に接続された第2電極とを含む、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/78 654 B
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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