レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：天野一規 , 池田義典 , 小川博生 , 石田耕治 , 各務幸樹 , 根木義明 , 川端和也 , 塩谷隆嗣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-058928
公開番号（公開出願番号）：特開2013-228702
特許番号：特許第6167588号
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 [A]ポリシロキサン、及び [B]溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物であって、 [B]溶媒が、 (B1)下記式(1)で表される化合物であり、かつ標準沸点が180°C以上220°C以下の有機溶媒を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。 (式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数1〜4のアシル基である。R3は、水素原子又はメチル基である。nは、1〜4の整数である。nが2以上の場合、複数のR3は、同一でも異なっていてもよい。)

IPC (2件)：