特許
J-GLOBAL ID：201003088051766114
ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-257422
公開番号（公開出願番号）：特開2010-085912
出願日： 2008年10月02日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、(A)酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、(B)熱架橋促進剤、(C)炭素数が1〜30の1価又は2価以上の有機酸、(D)3価以上のアルコール、(E)有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、
(A)酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、
(B)下記一般式(1)又は(2)で表される1種又は2種以上の熱架橋促進剤、
LaHbX (1)
(式中、Lはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウム、Xは水酸基、又は炭素数1〜30の1価又は2価以上の有機酸基であり、aは1以上の整数、bは0又は1以上の整数で、a+bは水酸基又は有機酸基の価数である。)
Ma’Hb’A (2)
(式中、Mはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Aは水酸基、炭素数1〜30の1価又は2価以上の有機酸基、又は非求核性対向イオンであり、a’は1以上の整数、b’は0又は1以上の整数で、a’+b’は水酸基、有機酸基又は非求核性対向イオンの価数である。)
(C)炭素数が1〜30の1価又は2価以上の有機酸、
(D)3価以上のアルコール、
(E)有機溶剤
を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
IPC (6件)：
G03F 7/075
, H01L 21/306
, C08G 77/14
, H01L 21/027
, G03F 7/11
, G03F 7/26
G03F7/075 521
, H01L21/302 105A
, C08G77/14
, H01L21/30 573
, H01L21/30 574
, G03F7/11 502
, G03F7/26 511
2H025AA09
, 2H025AA11
, 2H025AA16
, 2H025AA17
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CA19
, 2H025CA48
, 2H025CB33
, 2H025CC17
, 2H025CC20
, 2H025DA25
, 2H025EA05
, 2H025FA10
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 2H025FA48
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096CA06
, 2H096CA14
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA23
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 2H096KA07
, 2H096KA12
, 2H096KA18
, 2H096LA02
, 4J246AA03
, 4J246BA310
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246CA66X
, 4J246CA660
, 4J246CA67X
, 4J246CA670
, 4J246FA552
, 4J246FB072
, 4J246FB272
, 4J246HA15
, 5F004EA02
, 5F004EA03
, 5F046NA06
, 5F046NA17
, 5F046NA19
, 5F046PA07
