特許
J-GLOBAL ID:201703015289415969
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
曾我 道治
, 梶並 順
, 大宅 一宏
, 上田 俊一
, 吉田 潤一郎
, 飯野 智史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-070126
公開番号(公開出願番号):特開2017-184077
出願日: 2016年03月31日
公開日(公表日): 2017年10月05日
要約:
【課題】より小型で、安価な構成にて、各スイッチング素子に流れる主電流が均一の場合、ばらつきのある場合のいずれに対しても、各スイッチング素子の過電流保護を実現する。【解決手段】電流センス端子を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子を備えた半導体装置であって、それぞれの電流センス端子より得られたセンス電流をセンス電圧に変換し、変換後の個々のセンス電圧の中から最大電圧を選択し、最大電圧があらかじめ定められた第1の閾値よりも大きい場合に、第1の過電流検出信号を出力する第1の過電流検出回路と、それぞれの電流センス端子より得られたセンス電流の合計値に相当する合計センス電流を合計センス電圧に変換し、合計センス電圧があらかじめ定められた第2の閾値よりも大きい場合に、第2の過電流検出信号を出力する第2の過電流検出回路とをさらに備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
主電流に応じたセンス電流を出力可能な電流センス端子を有し、互いに並列接続された複数のスイッチング素子を備えた半導体装置であって、
前記複数のスイッチング素子のそれぞれの前記電流センス端子より得られた前記センス電流をセンス電圧に変換し、変換後の個々のセンス電圧の中から最大電圧を選択し、前記最大電圧があらかじめ定められた第1の閾値よりも大きい場合に、第1の過電流検出信号を出力する第1の過電流検出回路と、
前記複数のスイッチング素子のそれぞれの前記電流センス端子より得られた前記センス電流の合計値に相当する合計センス電流を合計センス電圧に変換し、前記合計センス電圧があらかじめ定められた第2の閾値よりも大きい場合に、第2の過電流検出信号を出力する第2の過電流検出回路と
をさらに備える半導体装置。
IPC (4件):
H03K 17/08
, H02M 1/00
, H02M 1/08
, H03K 17/687
FI (4件):
H03K17/08 C
, H02M1/00 H
, H02M1/08 341B
, H03K17/687 A
Fターム (30件):
5H740BA13
, 5H740BB01
, 5H740BB04
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740MM12
, 5H740MM18
, 5H740NN17
, 5J055AX34
, 5J055AX53
, 5J055AX64
, 5J055BX16
, 5J055CX07
, 5J055CX28
, 5J055DX22
, 5J055DX42
, 5J055DX73
, 5J055DX83
, 5J055EY01
, 5J055EY12
, 5J055EY21
, 5J055EZ10
, 5J055FX04
, 5J055FX08
, 5J055FX13
, 5J055FX32
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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