特許
J-GLOBAL ID：201703016685045127
IZO焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小越 勇
, 小越 一輝
, 若土 雅之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-071397
特許番号：特許第6078189号
出願日： 2016年03月31日
要約：
【課題】結晶粒界に残存する微細な穴(マイクロポア)を低減させた酸化インジウム-酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】酸化インジウム粉と酸化亜鉛粉とを仮焼して得られた仮焼粉を成型、焼結することで得られる、IZO焼結体スパッタリングターゲットの製造方法において、仮焼き条件を厳密に制御することで、ターゲットを構成する酸化物がIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4、5)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化インジウム-酸化亜鉛系酸化物(IZO)焼結体ターゲットであって、ターゲットを構成する酸化物がIn2O3とZnkIn2Ok+3(k=3、4、5のいずれか一種以上)の複合酸化物であり、ターゲットの相対密度が98.4%以上であり、ターゲットに存在する50〜300nmのマイクロポアの数が10個以下であり、ZnとInの原子比Zn/(In+Zn)が0.1〜0.2の範囲にあることを特徴とするIZO焼結体スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C04B 35/00 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, C04B 35/00
