特許
J-GLOBAL ID：201003014591436187

酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ-ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置

発明者：
宇都野 太

宇都野 太 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-186816
公開番号（公開出願番号）：特開2010-024087
出願日： 2008年07月18日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】少なくともインジウム化合物及び亜鉛化合物を含む原料を混合する工程(A)と、 工程(A)で得られる混合物を成形する工程(B)と、 工程(B)で得られる成形体を、800°C以上1200°C未満の温度帯域まで加熱した後、1時間以上保持する工程(C)と、 工程(C)後の成形体を1200°C以上で焼結させる工程(D)を含む、酸化物焼結体の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくともインジウム化合物及び亜鉛化合物を含む原料を混合する工程(A)と、 前記工程(A)で得られる混合物を成形する工程(B)と、 前記工程(B)で得られる成形体を、800°C以上1200°C未満の温度帯域まで加熱した後、1時間以上保持する工程(C)と、 前記工程(C)後の成形体を1200°C以上で焼結させる工程(D)を含む、酸化物焼結体の製造方法。
IPC (6件)：
C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
C04B35/00 J ,  C23C14/08 D ,  C23C14/34 A ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (90件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA01 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029EA08 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH04 ,  5F103KK02 ,  5F103KK10 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103NN10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN50 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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