特許
J-GLOBAL ID：201103069339211055

スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物、およびスパッタリングターゲットの製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
渋谷 忠夫

渋谷 忠夫 について

, 
海上 暁

海上 暁 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238811
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068993
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】In/(In+Zn)で表わされる原子比が、0.75〜0.97の範囲であるとともに、In2O3 (ZnO)m(ただし、mは2〜20の整数である。)で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径が5μm以下の値であるスパッタリングターゲットから成膜してなる透明導電性酸化物。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
In/(In+Zn)で表わされる原子比が、0.75〜0.97の範囲であるとともに、In2O3 (ZnO)m(ただし、mは2〜20の整数である。)で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径が5μm以下の値であるスパッタリングターゲットから成膜してなる透明導電性酸化物。
IPC (6件)：
C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01B 5/14 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (6件)：
C23C14/08 K ,  C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01B5/14 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 S
Fターム (32件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029FA07 ,  4K029GA01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104HH20 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03
引用特許：
審査官引用 (9件)
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