特許
J-GLOBAL ID：201703020370908175
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 山口 昭則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-014553
公開番号（公開出願番号）：特開2014-146705
特許番号：特許第6064628号
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及びホール引抜き電極と、
を有し、
前記ソース電極と前記ホール引抜き電極との間、または、ソース電極の直下の領域においては、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とにより、前記基板面に略垂直な垂直界面が形成されており、
前記垂直界面を形成している前記第1の半導体層の表面は、N極性面であることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/8232 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/80 U
, H01L 27/06 F
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/44 Y
, H01L 21/88 J
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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