特許
J-GLOBAL ID：201703021159127392

結晶性半導体膜および半導体装置

発明者：
織田 真也

織田 真也 について

, 
徳田 梨絵

徳田 梨絵 について

, 
人羅 俊実

人羅 俊実 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-194330
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069424
出願日： 2015年09月30日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：
【課題】膜厚が1μm以上であり、電気特性に優れた結晶性半導体膜を提供する。【解決手段】主面の全部または一部にコランダム構造を有しており、さらにオフ角を有する結晶基板20上に、直接または他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜を膜厚が1μm以上となるように積層して、電気特性に優れたオフ角を有する結晶性半導体膜を得る。そして、得られた電気特性に優れた結晶性半導体膜を半導体装置に用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であり、さらにオフ角を有していることを特徴とする結晶性半導体膜。
IPC (3件)：
H01L 21/365 ,  C30B 29/16 ,  H01L 29/24
FI (3件)：
H01L21/365 ,  C30B29/16 ,  H01L29/24
Fターム (26件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BB01 ,  4G077BB10 ,  4G077DB30 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TH02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F045AB40 ,  5F045AC19 ,  5F045AF13 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA15 ,  5F045EE02 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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