超伝導トンネル接合素子の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-097103
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213363
出願日： 2015年05月12日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】窒化ニオブを用いた超伝導トンネル接合素子を、安価に形成しかつ基板との接合面の均一性をより高くすることができる超伝導トンネル接合素子の形成方法を提供する。【解決手段】主面に平行な面に配向したシリコン基板に水素終端化処理を行い、水素終端化処理を行ったシリコン基板に対して第1の加熱を行うことにより水素を離脱させ、水素離脱後のシリコン基板に対して第2の加熱を行いながら当該シリコン基板上に窒化チタン層をスパッタリング法により形成し、窒化チタン層上に、当該窒化チタン層と接続される窒化ニオブ層を含む複数の層からなる超伝導トンネル接合層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面に平行な面に配向したシリコン基板に水素終端化処理を行い、前記水素終端化処理を行った前記シリコン基板に対して第1の加熱を行うことにより水素を離脱させ、水素離脱後の前記シリコン基板に対して第2の加熱を行いながら当該シリコン基板上に窒化チタン層をスパッタリング法により形成し、前記窒化チタン層上に、当該窒化チタン層と接続される窒化ニオブ層を含む複数の層からなる超伝導トンネル接合層を形成する、超伝導トンネル接合素子の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 39/24 , H01L 39/22

FI (2件)：

H01L39/24 J , H01L39/22 A

Fターム (11件)：

4M113AA02 , 4M113AA12 , 4M113AA18 , 4M113AA23 , 4M113AC45 , 4M113BA01 , 4M113BA04 , 4M113BB02 , 4M113BB03 , 4M113BB09 , 4M113CA17

引用特許：

審査官引用 (7件)

ジョセフソン接合素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-240008 出願人：富士通株式会社
特開昭62-232180
薄膜積層構造体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-385344 出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 学校法人大阪工大摂南大学

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