薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および薄膜積層体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-093948
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278616
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】触媒体の基板に対する輻射熱を抑制するとともに分解種を基板に到達させ、高品質な薄膜を製造する薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および薄膜積層体を提供すること。【解決手段】1以上の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、チャンバ17に配置されたSi基板21上に薄膜を形成する薄膜製造装置1において、チャンバ17に配置され、原料ガスを導入する1以上のガス導入管13と、ガス導入管13の開口部に配置されるとともにSi基板21と所定の距離に保たれ、原料ガスを分解する触媒体10と、未分解の原料ガスを吸着し、チャンバ17に滞留させないシュラウド82と、を有し、分子線として原料をSi基板21に照射する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

1種類又は複数の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、反応室に配置された基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、前記反応室に配置され、前記原料ガスを導入する1つ又は複数の原料ガス導入手段と、前記原料ガス導入手段の開口部に配置されるとともに前記基板と所定の距離に保たれ、加熱触媒作用によって前記原料ガスを分解する加熱触媒手段と、未分解の前記原料ガスを吸着し、前記反応室中に滞留させない未反応ガス吸着手段と、を有し、分子線として前記原料を前記基板に照射することを特徴とする薄膜製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/452

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/44 A , C23C16/452

Fターム (38件)：

4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030DA08 , 4K030EA01 , 4K030EA05 , 4K030EA11 , 4K030FA14 , 4K030FA17 , 4K030JA03 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA46 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB33 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE15 , 5F045BB07 , 5F045DP03

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭61-276976号公報
触媒CVD法によるシリコン薄膜の生成方法および薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055763 出願人：新技術事業団

審査官引用 (10件)

結晶成長用ガスクラッキングセル
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-225026 出願人：日本ビクター株式会社
ナノデバイスの作製方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-299234 出願人：科学技術振興事業団
特開昭62-274712

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