特許
J-GLOBAL ID：201703021358550849

半導体装置

発明者：
井上 隆

井上 隆 について

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中山 達峰

中山 達峰 について

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岡本 康宏

岡本 康宏 について

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川口 宏

川口 宏 について

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竹脇 利至

竹脇 利至 について

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名倉 延宏

名倉 延宏 について

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永井 隆行

永井 隆行 について

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三浦 喜直

三浦 喜直 について

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宮本 広信

宮本 広信 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-120266
公開番号（公開出願番号）：特開2017-195400
出願日： 2017年06月20日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：
【課題】半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】基板Sの上方に形成されたバッファ層BU、チャネル層CHおよび障壁層BAと、障壁層BAを貫通し、チャネル層CHの途中まで到達する溝Tと、この溝T内にゲート絶縁膜GIを介して配置されたゲート電極GEと、ゲート電極GEの両側の障壁層BA上のドレイン電極DEおよびソース電極SEと、を有するように半導体装置を構成する。そして、ゲート絶縁膜GIは、溝Tの端部からドレイン電極DE側に延在し、溝Tの端部側に位置する第1部と、第1部よりドレイン電極DE側に位置し、第1部より膜厚の大きい第2部とを有する。第1部は、絶縁膜IF2の単層膜よりなり、第2部は、絶縁膜IF1と絶縁膜IF2との積層膜よりなる。このように、溝Tのドレイン電極DE側の端部において、第1部の膜厚を小さくすることにより、オン抵抗を低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層上に形成され、前記第1窒化物半導体層よりバンドギャップが広い第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層を貫通し、前記第1窒化物半導体層の途中まで到達する溝と、 前記溝内にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側の前記第2窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、を有し、 前記ゲート絶縁膜は、前記溝の端部から前記第1電極側に延在し、前記溝の端部側に位置する第1部と、前記第1部より前記第1電極側に位置し、前記第1部より膜厚の大きい第2部と、前記第2電極側で前記溝の端部側に位置し、前記第1部より膜厚の大きい第3部とを有する、半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301V
Fターム (82件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104EE11 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F140AA19 ,  5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA20 ,  5F140BB03 ,  5F140BB06 ,  5F140BB15 ,  5F140BB16 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD18 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ16 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC09 ,  5F140CC12 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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