GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267567
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153837
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】低抵抗・高耐圧で電流コラプス現象の影響の小さいGaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】GaN系電界効果トランジスタ100は、基板101と、基板の上に形成されたp型GaN系半導体材料からなるチャネル層104と、チャネル層上に形成され、チャネル層よりもバンドギャップエネルギーが大きいGaN系半導体材料からなる電子供給層106と、電子供給層の一部が除去されて表出したチャネル層104の表面に形成されたゲート絶縁膜111と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極112と、ゲート電極を挟んで形成されたソース電極109及びドレイン電極110と、電子供給層106上に形成されたゲート絶縁膜111とは別の絶縁膜であって、電流コラプス低減効果のある第2の絶縁膜113と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成されたp型またはアンドープのGaN系半導体材料からなるチャネル層と、前記チャネル層上に形成され、前記チャネル層よりもバンドギャップエネルギーが大きいGaN系半導体材料からなる電子供給層と、前記電子供給層の一部が除去されて表出した前記チャネル層の表面に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記電子供給層上に形成された前記第1の絶縁膜とは別の絶縁膜であって、電流コラプス低減効果のある第2の絶縁膜と、を備えることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/06

FI (10件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 619A , H01L29/78 617A , H01L29/80 Q , H01L29/06 301F , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U

Fターム (96件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102GV09 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F110AA12 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110HM20 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F140AA25 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF43 , 5F140BG37 , 5F140BH18 , 5F140BH30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CD09 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP2005011623 出願人：日本電気株式会社, 古河電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-115035 出願人：日本電信電話株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：再公表公報出願番号：JP2005002712 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP2005011623 出願人：日本電気株式会社, 古河電気工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-255603 出願人：古河電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-115035 出願人：日本電信電話株式会社

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